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     增强型MOS管结构

  1、栅极G与漏极D、源极S之间相绝缘，它们之间的电阻无限大；

    2、没有外加电压时漏极与源极之间不导通；增强型NMOS管是以P型硅片作为基片（又称衬底），漏极连接的为N半导体，衬底与源极连在一起，故P型衬底与漏极N型半导体会形成二极管，称为寄生二极管；因此漏极和源极之间的反向电阻很小。
    增强型MOS管工作原理：在栅极与源极之间加上正向电压后，达到一定值后就会形成导电沟道，改变电压就改变了导电沟道的宽度和导电能力；
    耗尽型MOS管结构
    1、栅极与漏极、源极绝缘，它们之间的电阻无限大；
    2、漏极与源极之间能够导通，沟道在制造时就已形成；在栅极与源极之间加上反向向电压后，改变电压就改变了导电沟道的宽度和导电能力；