深圳市福启达科技有限公司

    MOSFET三极管SI2304参数

    型号/规格： SI2304 A4SHB

    功率特征：中功率

 场效应管内部结构图

    从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。
    在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有绝缘特性，通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的电场，实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近，由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层，因漂移电场的强度几乎不变产生ID的饱和现象。
    VGS向负的方向变化，让VGS=VGS（off），此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且VDS的电场大部分加到过渡层上，将电子拉向漂移方向的电场，只有靠近源极的很短部分，这更使电流不能流通。

   公司介绍：

   深圳市福启达科技有限公司是一家半导体IC及分立器件的民营高科技企业。公司主营二三极管，场效应MOS管，可控硅，LDO/ESD/TVS/供应商。可按照客户特殊要求订做，提供电子元器件配单BOM单配套服务！产品通过ISO9001:2000及ISO14001和SGS。产品广泛应用于数码产品-通讯产品-家用电器-玩具-节能灯-新能源等多个领域。公司本着始终满足客户需求，不懈追求客户满意的服务宗旨，积极倡导“开拓 创新 诚信 共赢”的企业发展理念。以诚信铸就品牌，以科技成就未来，以创新成就发展，努力为客户创造价值。